A base de elementos dos elementos semicondutores está em constante crescimento. Cada nova invenção nessa área, de fato, muda toda a ideia de sistemas eletrônicos. Os recursos de projeto de circuito estão mudando, novos dispositivos baseados neles estão surgindo. Muito tempo se passou desde a invenção do primeiro transistor (1948). As estruturas "p-n-p" e "n-p-n", transistores bipolares, foram inventadas. Com o tempo, o transistor MIS também apareceu, operando com o princípio de alterar a condutividade elétrica da camada semicondutora próxima à superfície sob a ação de um campo elétrico. Portanto, outro nome para este elemento é campo.
A própria abreviação MIS (metal-dielétrico-semicondutor) caracteriza a estrutura interna deste dispositivo. De fato, sua porta é isolada do dreno e da fonte por uma fina camada não condutora. Um transistor MIS moderno tem um comprimento de porta de 0,6 µm. Apenas um campo eletromagnético pode passar por ele - é isso que afeta o estado elétrico do semicondutor.
Vamos ver como funciona um FET e descobrir qual é a sua principal diferença debipolar "irmão". Quando o potencial necessário aparece, um campo eletromagnético aparece em seu portão. Afeta a resistência da junção dreno-fonte. Aqui estão alguns dos benefícios de usar este aparelho.
- No estado aberto, a resistência de transição dreno-fonte é muito pequena e o transistor MIS é usado com sucesso como chave eletrônica. Por exemplo, ele pode acionar um amplificador operacional desviando uma carga ou participando de circuitos lógicos.
- Destaca-se também a alta impedância de entrada do dispositivo. Este parâmetro é bastante relevante ao trabalhar em circuitos de baixa corrente.
- A baixa capacitância da junção dreno-fonte possibilita o uso do transistor MIS em dispositivos de alta frequência. Não há distorção na transmissão do sinal durante o processo.
- O desenvolvimento de novas tecnologias na produção de elementos levou à criação de transistores IGBT que combinam as qualidades positivas dos elementos de campo e bipolares. Os módulos de potência baseados neles são amplamente utilizados em soft starters e conversores de frequência.
Ao projetar e trabalhar com esses elementos, deve-se levar em consideração que os transistores MIS são muito sensíveis à sobretensão no circuito e à eletricidade estática. Ou seja, o dispositivo pode falhar ao tocar nos terminais de controle. Ao instalar ou desmontar, use aterramento especial.
As perspectivas de uso deste dispositivo são muito boas. Graças asuas propriedades únicas, encontrou ampla aplicação em vários equipamentos eletrônicos. Uma tendência inovadora na eletrônica moderna é o uso de módulos IGBT de potência para operação em diversos circuitos, incluindo circuitos de indução.
A tecnologia de sua produção está em constante aprimoramento. Desenvolvimentos estão em andamento para dimensionar (reduzir) o comprimento do obturador. Isso melhorará o já bom desempenho do dispositivo.
